ФункцииМетоды соединений
Все полупроводниковые коммутирующие устройства SIRIUS имеют различные методы соединений. Вы можете выбирать следующие методы соединений:
Винтовое соединение
Метод винтового соединения является стандартным среди производственных систем управления. Открытые контакты и плюс-минус винты, именно этими двумя свойствами характеризуется данная технология. В клемму могут быть подсоединены прямо два проводника с сечениями до 6 мм2. Таким образом, к устройству могут быть подключены нагрузки с током до 50 A.
Пружинное соединение
Это современная технология обходящаяся без каких либо винтовых клемм. Это означает достижение довольно высокой защиты от вибраций. В каждую клемму могут подсоединяться два проводника с сечением до 2.5 mm2 каждый. В результате, к устройству могут быть подсоединены нагрузки с током до 20 A.
Коммутация
Полупроводниковые контакторы для коммутации двигателей (индуктивных нагрузок) являются "мгновенно коммутирующими".
Характеристики
Характеристики полупроводниковых коммутирующих устройств в основном определяются типом использованного полупроводника.
Тиристоры имеют две наиболее важные характеристики - запирающее напряжение и Джоулевый интеграл:
Запирающее напряжение
Тиристоры с большим запирающим напряжением могут использоваться без всяких трудностей в сетях с большой нестабильностью напряжения. В большинстве случаев, для таких тиристоров, не требуется применять различные меры защиты от нестабильности напряжения, например, такие как защитные цепи с варистором.
Например, полупроводниковые коммутационные устройства с тиристором у которого запирающее напряжение равно 800 В, подходят для работы в сетях до 230 В. Тиристоры с запирающим напряжением до 1600 В используются в сетях с большими напряжениями.
Джоулевый интеграл
Одной из целей определения Джоулевого интеграла (I2t) является оценка защиты от короткого замыкания. Только довольно мощные полупроводники с соответствующим высоким значением (I2t ) могут оказывать соответствующую защиту против разрушения от короткого замыкания. Это значит, что устройство должно соответствовать применению. Однако, полупроводниковые коммутационные устройства SIRIUS также характеризуются оптимальным соответствием значения Джоулевого интеграла с его номинальным током. Номинальные токи для устройств указаны согласно EN 60947-4-3, что было подтверждено многочисленными экспериментами.
Более детальную информацию Вы можете найти в интернете:
http://www.siemens.de/halbleiterschaltgeraete
|